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KSA1381ESTSSTU

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N° Mouser :

512-KSA1381ESTSSTU

N° de fab. :

KSA1381ESTSSTU

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP Epitaxial Sil

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

KSA1381ESTSSTU Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-126-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	300 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	300 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	600 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	7 W
Produit gain-bande passante fT :	150 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	KSA1381
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	- 100 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	40
Gain de courant CC hFE max.:	320
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	60
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	758 mg

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Fiche technique

KSA1381ESTSSTU Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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