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KSC3503DS

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N° Mouser :

512-KSC3503DS

N° de fab. :

KSC3503DS

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

KSC3503DS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-126-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	300 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	300 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	600 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	7 W
Produit gain-bande passante fT :	150 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	KSC3503
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	100 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	40
Gain de courant CC hFE max.:	320
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	KSC3503DS_NL
Poids de l''unité:	761 mg