KSC5502TU

onsemi
512-KSC5502TU
KSC5502TU

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT NPN Planar Silicon

Modèle de ECAO:
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En stock: 4 444

Stock:
4 444 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,18 € 2,18 €
1,38 € 13,80 €
0,92 € 92,00 €
0,76 € 380,00 €
0,673 € 673,00 €
0,636 € 1 590,00 €
0,605 € 3 025,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Single
2 A
600 V
1.2 kV
12 V
190 mV
50 W
+ 150 C
KSC5502
Tube
Marque: onsemi
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 15
Gain de courant CC hFE max.: 15
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 1,800 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.