KSP10BU

onsemi
512-KSP10BU
KSP10BU

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Modèle de ECAO:
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Délai usine :
33
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,206 € 0,21 €
0,156 € 1,56 €
0,09 € 9,00 €
0,068 € 34,00 €
0,064 € 64,00 €
0,059 € 147,50 €
0,051 € 255,00 €
0,045 € 450,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Ammo Pack
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,10 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
NPN
Single
25 V
30 V
3 V
500 mV
350 mW
650 MHz
+ 150 C
KSP10
Bulk
Marque: onsemi
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 60
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 10000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: KSP10BU_NL
Poids de l''unité: 179 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.