MJ802G

onsemi
863-MJ802G
MJ802G

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT 30A 90V 200W NPN

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 569

Stock:
569
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
500
31/07/2026 attendu
Délai usine :
15
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,76 € 7,76 €
5,20 € 52,00 €
4,26 € 426,00 €
3,94 € 2 364,00 €
3,42 € 4 104,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-204-2
NPN
Single
30 A
90 V
100 V
4 V
800 mV
200 W
2 MHz
- 65 C
+ 150 C
MJ802
Tray
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 30 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 12 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Mexique
Pays d'origine de l'assemblage:
Mexique
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.