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MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-MMBFJ110

N° de fab. :

MMBFJ110

Fab. :

onsemi

Description :

JFET N-CH FET/SSOT-23

Fiche technique:

MMBFJ110 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,611 €	0,61 €
	0,376 €	3,76 €
	0,242 €	24,20 €
	0,184 €	92,00 €
	0,165 €	165,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,133 €	399,00 €
	0,132 €	792,00 €
	0,122 €	1 098,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SSOT-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	- 25 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 25 V
Id - Courant continu de fuite:	10 mA
Rds On - Résistance drain-source:	18 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie :	460 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MMBFJ110
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	40 mg

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Fiche technique

MMBFJ110 Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.