MMBT4355

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N° Mouser :

512-MMBT4355

N° de fab. :

MMBT4355

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP Transistor General Purpose

Cycle de vie:

Obsolète

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	800 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	60 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MMBT4355
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	800 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Gain de courant CC hFE max.:	400
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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