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NST807CMTWFTBG

Name: onsemi NST807CMTWFTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NST807CMTWFTBG
Price: 0.75 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NST807CMTWFTBG

N° de fab. :

NST807CMTWFTBG

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NST807CMTWFTBG Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,757 €	0,76 €
	0,525 €	5,25 €
	0,332 €	33,20 €
	0,206 €	103,00 €
	0,151 €	151,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,135 €	405,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	XDFNW-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	1 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	45 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	45 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	700 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Produit gain-bande passante fT :	360 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NST807
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	250 at - 100 mA, - 1 V
Gain de courant CC hFE max.:	600 at - 100 mA, - 1 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NST807CMTWFTBG Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Malaisie

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors PNP à usage général NST807

Les transistors PNPà usage général NST807 d'Onsemi sont conçus pour les applications de commutation et les amplificateurs à usage général. Le NST807 d'Onsemi offre une haute performance et une fiabilité, ce qui le rend adapté à une utilisation dans les circuits à faible puissance, dans le traitement des signaux et les applications électroniques générales. Le transistor présente une tension collecteur-émetteur (V_CE) maximale de 40 V et un courant collecteur (I C ) maximum (I_C ) de 3 A offrant une polyvalence pour une plage de conceptions. Grâce à sa faible tension de saturation et ses vitesses de commutation rapides, le NST807 est souvent choisi pour les circuits à haute efficacité. De plus, son boîtier compact DFN1010-3 permet des conceptions économes en espace, ce qui fait du NST807 un excellent choix pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. Le dispositif est conçu pour offrir des performances robustes, avec une courbe caractéristique bien définie qui garantit stabilité et fiabilité dans diverses conditions environnementales.