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NST847BPDP6T5G

Name: onsemi NST847BPDP6T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NST847BPDP6T5G
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NST847BPDP6T5G

N° de fab. :

NST847BPDP6T5G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

Fiche technique:

NST847BPDP6T5G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 8000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,177 €	1,77 €
	0,111 €	11,10 €
	0,082 €	41,00 €
	0,065 €	65,00 €
	0,05 €	250,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 8000)
	0,045 €	360,00 €
	0,044 €	1 056,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-963-6
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	45 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	50 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V, 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	600 mV, 700 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	420 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NST847BPDP6T5G
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	MY
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP
Gain de courant CC hFE max.:	200 at 2 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	8000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	1,190 mg