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NSVT5551DW1T1G

Name: onsemi NSVT5551DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551DW1T1G
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NSVT5551DW1T1G

N° de fab. :

NSVT5551DW1T1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN MULTI-CHIP

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NSVT5551DW1T1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,843 €	0,84 €
	0,525 €	5,25 €
	0,342 €	34,20 €
	0,263 €	131,50 €
	0,245 €	245,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,205 €	615,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC88-6L
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	160 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	180 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	200 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	200 mW
Produit gain-bande passante fT :	300 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NSVT5551D
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	200 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80 at 10 mA, 5 V
Gain de courant CC hFE max.:	250 at 10 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors