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PN100A

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N° Mouser :

512-PN100A

N° de fab. :

PN100A

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

PN100A Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	45 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	75 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	400 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Produit gain-bande passante fT :	250 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	PN100A
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	300
Gain de courant CC hFE max.:	600
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	201 mg