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PZT651T1

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N° Mouser :

863-PZT651T1

N° de fab. :

PZT651T1

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 2A 80V NPN

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

PZT651T1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-223-4
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	2 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	60 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	500 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	800 mW
Produit gain-bande passante fT :	75 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	PZT651
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	2 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	75
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	112 mg

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Fiche technique

PZT651T1 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

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