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UG4SC075009K4S

Name: onsemi UG4SC075009K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075009K4S
Price: 18.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-UG4SC075009K4S

N° de fab. :

UG4SC075009K4S

Fab. :

onsemi

Description :

JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

UG4SC075009K4S Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	18,49 €	18,49 €
	15,52 €	155,20 €
	12,46 €	1 246,00 €
	12,03 €	7 218,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 30 V to 30 V
Courant drain/source à Vgs=0:	4 uA
Id - Courant continu de fuite:	106 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.4 mOhms
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	UG4S
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

UG4SC075009K4S Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Combo-FET

Les Combo-FET d'Onsemi sont des dispositifs révolutionnaires qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) d'Onsemi avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique. Spécialement conçus pour des applications de protection à basse fréquence, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs de batterie et la protection contre les surtensions, ces Combo-FET permettent aux utilisateurs d'accéder à la grille du JFET pour optimiser la conception. L'intégration du MOSFET Si dans ces Combo-FET d'Onsemi garantit une solution normalement éteinte, ce qui permet de réduire la taille de plus de 25 % par rapport aux implémentations discrètes.

Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Les Combo FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ d’onsemi combinent un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L. Cette conception permet d’obtenir un commutateur normalement éteint tout en bénéficiant de la résistance en conduction ultra-faible [R_DS(on)] et de la robustesse d’un JFET SiC normalement activé. La série Combo FET UG4SC d’onsemi est idéale pour la commutation à haute énergie dans la protection de circuit. Pour la conversion d’énergie en mode commutation, les dispositifs offrent un accès séparé à la grille du JFET et du MOSFET, améliorant ainsi le contrôle de la vitesse et simplifiant le couplage en parallèle de plusieurs dispositifs.