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FGD3N60UNDF

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N° Mouser :

512-FGD3N60UNDF

N° de fab. :

FGD3N60UNDF

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

FGD3N60UNDF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	6 A
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	FGD3N60UNDF
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	3 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	10 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	260,370 mg