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IPP023NE7N3 G

Name: Infineon IPP023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023NE7N3G
Price: 3.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPP023NE7N3G

N° de fab. :

IPP023NE7N3 G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Fiche technique:

IPP023NE7N3 G Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,50 €	3,50 €
	2,30 €	23,00 €
	1,75 €	175,00 €
	1,49 €	745,00 €
	1,31 €	1 310,00 €
	1,23 €	3 075,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPP023NE7N3GXKSA1

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,40 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPP023NE7N3GXKSA1

Description :

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	206 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	98 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Série:	OptiMOS 3
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Alimentations en mode commuté (SMPS)

Infineon Technologies offre une large gamme de produits économiques pour les alimentations en mode commuté (SMPS) grand public. Cela comprend des MOSFET haute tension, des CI de commande et des diodes au carbure de silicium pour les étages PFC et PWM, ainsi que des MOSFET basse tension pour le redressement synchrone. Avec ces produits, Infineon encourage la tendance en faveur d'une réduction continue de la consommation électrique. La nouvelle famille C6 CoolMOS™ 600 V est particulièrement polyvalente et combine une excellente efficacité avec un prix attractif, tout comme nos diodes SiC de 3e génération. Pour le redressement synchrone, la série OptiMOS™ 3 offre une résistance à l'état passant extrêmement basse ainsi que de faibles capacités. Les nouveaux CI de commande d'Infineon prennent en charge les topologies flyback quasi-résonantes et LLC.
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