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IPP023NE7N3 G

Name: Infineon IPP023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023NE7N3G
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPP023NE7N3G

N° de fab. :

IPP023NE7N3 G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Fiche technique:

IPP023NE7N3 G Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,59 €	3,59 €
	2,34 €	23,40 €
	1,83 €	183,00 €
	1,53 €	765,00 €
	1,42 €	1 420,00 €
	1,33 €	3 325,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPP023NE7N3GXKSA1

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

3,67 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPP023NE7N3GXKSA1

Description :

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	206 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	MY
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	98 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Série:	OptiMOS 3
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
Poids de l''unité:	2 g