Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NXH015P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH015P12M3F1PTG
Price: 65.11 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NXH015P12M3F1PTG

N° de fab. :

NXH015P120M3F1PTG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NXH015P120M3F1PTG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 66

Stock:: 66 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	65,11 €	65,11 €
	58,15 €	581,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	PIM-18
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Id - Courant continu de fuite:	77 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	198 W
Série:	NXH015P120M3F1PTG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Half-Bridge
Temps de descente:	8 ns
Hauteur:	12.35 mm
Longueur:	63.3 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	28
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Half Bridge
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Largeur:	34.1 mm

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NXH015P120M3F1PTG Fiche technique

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1 onsemi contiennent des MOSFET au SiC M3S de 8 m Ω/ 1 200 V, de 10 mΩ/ 1 200 V, de 15 mΩ/ 1 200 V et de 30 mΩ/ 1 200 V, basés sur une topologie en demi-pont et sur une thermistance dans un boîtier F1. Ces modules se composent d'un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué. Les modules NXH0xxP120M3F1 sont conçus avec des broches à insertion par pression et sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules d'alimentation sont utilisés dans les onduleurs solaires, l’alimentation industrielle, les stations de chargement de véhicules électriques (EV) et les alimentations sans interruption (ASI).