PN2222 Transistors bipolaires - BJT

Résultats: 35
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi Transistors bipolaires - BJT 600mA 60V NPN
Fiche technique
Non
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Purp Amp
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT TO-92
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN GPA
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Purp Amp
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 6 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 2 500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 300 mV 625 mW 250 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
7 757En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Ammo Pack
Toshiba PN2222A,126
Toshiba Transistors bipolaires - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Purp Amp
Fiche technique
21 981En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN General Purpose Amplifier
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild PN2222RA
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT TO-92
Fiche technique
Indisponible
Si PN2222
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN General Purpose Amplifier
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN General Purpose Transistor
Fiche technique
Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Purp Amp
Fiche technique
Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT 600mA 60V PNP
Fiche technique
Commentaire Produit

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk