PN2222 Transistors bipolaires - BJT

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Courant CC max. du collecteur Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
Central Semiconductor Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Toshiba PN2222BU
Toshiba Transistors bipolaires - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT TO-92 Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT NPN General Purpose Transistor Indisponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT TO-92 Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT TO-92 Indisponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Micro Commercial Components (MCC) Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6Vebo 600mA 625mW 11 068En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack