BFU550R

NXP Semiconductors
771-BFU550R
BFU550R

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires RF NPN wideband silicon RF transistor

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0,532 € 5,32 €
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0,246 € 246,00 €
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0,204 € 612,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
NXP
Catégorie du produit: Transistors bipolaires RF
RoHS:  
BFU550
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
50 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-143B-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: NXP Semiconductors
Courant CC max. du collecteur: 80 mA
Alimentation en sortie: 13.5 dBm
Pd - Dissipation d’énergie : 450 mW
Type de produit: RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: 934067704215
Poids de l''unité: 9 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x

Les transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x NXP Semiconductor sont des transistors RF à haute tension de rupture, faible bruit, qualifiés AEC-Q101 qui sont adaptés à des applications de faible et moyenne puissance, jusqu'à 2 GHz. Offrant des performances exceptionnelles, les transistors RF BFU5x génèrent 20 dB de gain maximal et un niveau de bruit de 0,7 dB à 900 MHz. Ces appareils offrent une meilleure réception du signal de faible à moyenne puissance et permettent aux récepteurs RF de fonctionner de façon plus solide dans les environnements bruyants. Utilisés en tant qu'oscillateurs ou amplificateurs (faible bruit), les transistors RF BFU5x supportent des tensions d'alimentation élevées et des tensions de rupture élevées. Ceci rend ces composants bien adaptés aux applications industrielles, automobiles et de communication. Cette gamme de produits est disponible dans une large variété de boîtiers standard, notamment SOT323, SOT23 et SOT143.
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