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BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 536.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BSM180C12P2E202

N° de fab. :

BSM180C12P2E202

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Modules MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Fiche technique:

BSM180C12P2E202 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	Module
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	204 A
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.36 kW
Série:	BSMx
Conditionnement:	Tray
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	32 ns
Hauteur:	15.4 mm
If - Courant direct:	180 A
Longueur:	152 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	36 ns
Nombre de pièces de l'usine:	4
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	SiC Power Module
Délai de désactivation type:	139 ns
Délai d'activation standard:	49 ns
Vf - Tension directe:	1.6 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Largeur:	62 mm

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.