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BSM180D12P3C007

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P3C007
Price: 503.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BSM180D12P3C007

N° de fab. :

BSM180D12P3C007

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Modules MOSFET Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Fiche technique:

BSM180D12P3C007 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	Module
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	880 W
Série:	BSMx
Conditionnement:	Tray
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	50 ns
Hauteur:	21.1 mm
Longueur:	122 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	70 ns
Nombre de pièces de l'usine:	12
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	SiC Power Module
Délai de désactivation type:	165 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Largeur:	45.6 mm
Poids de l''unité:	302,171 g

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Fiche technique

BSM180D12P3C007 Fiche technique (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8504901900
USHTS:: 8541590080
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.