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BSM600D12P4G103

Name: ROHM Semiconductor BSM600D12P4G103
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM600D12P4G103
Price: 1010.96 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BSM600D12P4G103

N° de fab. :

BSM600D12P4G103

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Modules MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Fiche technique:

BSM600D12P4G103 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	Module
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	567 A
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.78 kW
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	90 ns
Longueur:	152 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	110 ns
Nombre de pièces de l'usine:	4
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	SiC Power Module
Délai de désactivation type:	435 ns
Délai d'activation standard:	135 ns
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Largeur:	62 mm

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Fiche technique

BSM600D12P4G103 Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.