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BSS138BKWT106

Name: ROHM Semiconductor BSS138BKWT106
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS138BKWT106
Price: 0.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BSS138BKWT106

N° de fab. :

BSS138BKWT106

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET

Fiche technique:

BSS138BKWT106 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 16

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,335 €	0,34 €
	0,206 €	2,06 €
	0,13 €	13,00 €
	0,097 €	48,50 €
	0,086 €	86,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,071 €	213,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-323-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	380 mA
Rds On - Résistance drain-source:	680 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	0.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	4.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSS138BKW

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Fiche technique

BSS138BKWT106 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.