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BST70B2P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST70B2P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST70B2P4K01-VC
Price: 97.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BST70B2P4K01-VC

N° de fab. :

BST70B2P4K01-VC

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Modules MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

Cycle de vie:

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Fiche technique:

BST70B2P4K01-VC Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
Technologie:	SiC
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	70 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	385 W
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Quad
Temps de descente:	15 ns
Produit:	Power Module
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	36 ns
Nombre de pièces de l'usine:	60
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EcoSiC
Délai de désactivation type:	153 ns
Délai d'activation standard:	36 ns

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Fiche technique

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Codes de conformité

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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ROHM SEMICONDUCTOR

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BST70B2P4K01-VC

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : Modules MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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Modules de puissance de haute densité au SiC

PRODUITS PRÉSENTÉS ROHM SEMICONDUCTOR

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Modules MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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