DMG1013T-7

Diodes Incorporated
621-DMG1013T-7
DMG1013T-7

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 547 974

Stock:
1 547 974 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,215 € 0,22 €
0,132 € 1,32 €
0,083 € 8,30 €
0,06 € 30,00 €
0,053 € 53,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,035 € 105,00 €
0,032 € 192,00 €
0,028 € 252,00 €
0,027 € 648,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
P-Channel
1 Channel
20 V
460 mA
1 Ohms
- 6 V, 6 V
1 V
622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
270 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Configuration: Single
Temps de descente: 20.7 ns
Transconductance directe - min.: 0.9 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 8.1 ns
Série: DMG1013
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 28.4 ns
Délai d'activation standard: 5.1 ns
Poids de l''unité: 2 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

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Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

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