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DMG1016V-7

Name: Diodes Incorporated DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1016V-7
Price: 0.41 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-DMG1016V-7

N° de fab. :

DMG1016V-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

Fiche technique:

DMG1016V-7 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,413 €	0,41 €
	0,255 €	2,55 €
	0,162 €	16,20 €
	0,121 €	60,50 €
	0,108 €	108,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,08 €	240,00 €
	0,073 €	438,00 €
	0,067 €	603,00 €
	0,065 €	1 560,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-563-6
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	870 mA, 640 mA
Rds On - Résistance drain-source:	400 mOhms, 700 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	500 mV
Qg - Charge de grille:	736.6 pC, 622.4 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	530 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Dual
Temps de descente:	12.3 ns, 20.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.4 ns, 8.1 ns
Série:	DMG1016
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	26.7 ns, 28.4 ns
Délai d'activation standard:	5.1 ns, 5.1 ns
Poids de l''unité:	6 mg

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Fiche technique

DMG1016V-7 Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.