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DMN53D0LDW-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LDW-13
Price: 0.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMN53D0LDW-13

N° de fab. :

DMN53D0LDW-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET N-CHANNEL MOSFET

Fiche technique:

DMN53D0LDW-13 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,258 €	0,26 €
	0,158 €	1,58 €
	0,099 €	9,90 €
	0,073 €	36,50 €
	0,058 €	58,00 €
	0,055 €	137,50 €
	0,048 €	240,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,037 €	370,00 €
	0,034 €	680,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

DMN53D0LDW-7

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,25 €

Min.:

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Fab. :

Diodes Incorporated

N° de fab. :

DMN53D0LDW-7

Description :

MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	50 V
Id - Courant continu de fuite:	360 mA
Rds On - Résistance drain-source:	1.6 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	600 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	310 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Dual
Temps de descente:	11 ns, 11 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.5 ns, 2.5 ns
Série:	DMN53
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns, 19 ns
Délai d'activation standard:	2.7 ns, 2.7 ns
Poids de l''unité:	7,500 mg

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Fiche technique

DMN53D0LDW-13 Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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