DXT5551-13 Transistors bipolaires - BJT

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Courant CC max. du collecteur Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT 1W 160V 1 116En stock
2 50015/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT SOT-89-3 NPN Single 600 mA 160 V 180 V 6 V 200 mV 750 mW 300 MHz - 55 C + 150 C DXT5551 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi / Fairchild DXT5551-13
onsemi / Fairchild Transistors bipolaires - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 160 V 180 V 6 V 1 W 300 MHz - 55 C + 150 C