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FDMC2523P

Name: onsemi FDMC2523P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC2523P
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

512-FDMC2523P

N° de fab. :

FDMC2523P

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET -150V P-Channel QFET

Fiche technique:

FDMC2523P Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	1,15 €	11,50 €
	0,84 €	84,00 €
	0,69 €	345,00 €
	0,672 €	672,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,579 €	1 737,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-33-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	QFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	1.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	FDMC2523P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	210 mg

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Fiche technique

FDMC2523P Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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