FDME1024NZT

onsemi
512-FDME1024NZT
FDME1024NZT

Fab. :

Description :
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench

Modèle de ECAO:
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Délai usine :
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0,568 € 5,68 €
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0,304 € 152,00 €
0,274 € 274,00 €
0,25 € 625,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UMLP-6
N-Channel
2 Channel
20 V
3.4 A
55 mOhms
- 8 V, 8 V
700 mV
3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.3 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Dual
Temps de descente: 1.7 ns
Transconductance directe - min.: 9 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 2 ns
Série: FDME1024NZT
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 15 ns
Délai d'activation standard: 4.5 ns
Poids de l''unité: 25,200 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542310399
ECCN:
EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.