Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 56.29 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

726-FP35R12N2T7BPSA2

N° de fab. :

FP35R12N2T7BPSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Fiche technique:

FP35R12N2T7BPSA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2

En stock: 15

Stock:: 15 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	56,29 €	56,29 €
	48,84 €	488,40 €
	44,34 €	4 655,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Courant collecteur continu de 25 C:	35 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FP35R12N2T7BPSA2 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Modules IGBT PIM 1 200 V

Les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon offrent la technologie de diode EC7 et IGBT7 TRENCHSTOP™ basée sur la toute dernière technologie de tranchée à micro-motifs. Cette technologie réduit fortement les pertes et offre un haut niveau de contrôle. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. La puce est spécialement optimisée pour les applications d'entraînement industriel et les systèmes d'énergie solaire, et se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue en augmentant la température de fonctionnement maximale autorisée jusqu’à 175 °C dans les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon.

Redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V

Les redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V d'Infineon Technologies sont des modules IGBT PIM triphasés 1 200 V, 100 A EconoPIM™ 2. Les redresseurs disposent d'un IGBT7 TRENCHSTOP™, d'une diode 7 contrôlée par émetteur et d'un NTC.Le PIM (modules de puissance intégrés) avec l'intégration du redresseur et du hacheur de freinage permet des économies de coûts système.