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GCMS080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080B120S1-E1
Price: 19.19 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

148-GCMS080B120S1-E1

N° de fab. :

GCMS080B120S1-E1

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Fiche technique:

GCMS080B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	19,19 €	19,19 €
	13,92 €	139,20 €
	13,52 €	1 352,00 €
	11,71 €	11 710,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
REACH - SVHC:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	COPACK Power Module
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Pd - Dissipation d’énergie :	142 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	77 mOhms
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V

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Fiche technique

GCMS080B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.