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GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 27.35 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

148-GCMX020B120S1-E1

N° de fab. :

GCMX020B120S1-E1

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	27,35 €	27,35 €
	20,13 €	201,30 €
	19,98 €	2 397,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	113 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	395 W
Série:	GCMX
Conditionnement:	Tube
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	SiC MOSFET Power Module
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	21 ns
Vf - Tension directe:	3.7 V

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Attributs sélectionnés: 0

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.