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GCMX080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080B120S1-E1
Price: 17.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

148-GCMX080B120S1-E1

N° de fab. :

GCMX080B120S1-E1

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

Fiche technique:

GCMX080B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,46 €	17,46 €
	12,54 €	125,40 €
	10,34 €	1 034,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	77 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	142 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
If - Courant direct:	10 A
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	High Speed Switching
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Vf - Tension directe:	3.8 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

GCMX080B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.