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IAUCN08S7L018ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L018ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L018ATM
Price: 2.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IAUCN08S7L018ATM

N° de fab. :

IAUCN08S7L018ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IAUCN08S7L018ATMA1 Fiche technique (PDF)

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	1,40 €	140,00 €
	1,18 €	590,00 €
	1,01 €	1 010,00 €
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	0,93 €	4 650,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	210 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	79.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	169 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	58.5 ns
Délai d'activation standard:	9.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IAUCN08S7L018 SP006059903

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7

Infineon Technologies présente sa technologie de pointe OptiMOS™ 7 MOSFET de puissance automobile avec une résistance à l’état passant remarquablement faible, des pertes de commutation réduites et une robustesse améliorée. OptiMOS 7 redéfinit le paysage des MOSFET de puissance automobile. La technologie de MOSFET OptiMOS 7 d'Infineon établit un nouveau standard pour les applications automobiles, permettant performance et efficacité tout en répondant aux défis des systèmes automobiles de demain.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont fabriqués avec la technologie de semiconducteurs de puissance de pointe d'Infineon. Ces MOSFET sont conçus spécifiquement pour offrir la haute performance, la qualité et la robustesse nécessaires aux applications automobiles exigeantes. Les MOSFET OptiMOS™ 7 80 V fonctionnent avec une tension de source de grille de ±20 V_GS et une plage de température de -55 °C à 175 °C. Ces MOSFET sont proposés dans un boîtier CMS SSO10T de 5 x 7 mm2 refroidi par le dessus. Le boîtier SSO10T aide les utilisateurs à réaliser des progrès en matière de refroidissement et de densité de puissance. Les MOSFET de puissance 80 V sont classés MSL-1, conformes à la directive RoHS et 100 % avalanche. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les applications automobiles générales.