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IKP20N60T

Name: Infineon IKP20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKP20N60T
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IKP20N60T

N° de fab. :

IKP20N60T

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

IKP20N60T Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

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	1,33 €	13,30 €
	1,06 €	106,00 €
	0,834 €	417,00 €
	0,715 €	715,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	41 A
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	TRENCHSTOP IGBT
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	SP000683066 IKP2N6TXK IKP20N60TXKSA1
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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EOL

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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