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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 3.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IKW20N60T

N° de fab. :

IKW20N60T

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Fiche technique:

IKW20N60T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,17 €	3,17 €
	2,06 €	20,60 €
	1,62 €	162,00 €
	1,35 €	648,00 €
	1,16 €	1 392,00 €
	1,10 €	2 904,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IKW20N60TFKSA1

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,98 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IKW20N60TFKSA1

Description :

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	41 A
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trenchstop IGBT3
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.