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IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 1.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPD220N06L3GATM1

N° de fab. :

IPD220N06L3GATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 60V

Fiche technique:

IPD220N06L3GATMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,04 €	1,04 €
	0,654 €	6,54 €
	0,431 €	43,10 €
	0,335 €	167,50 €
	0,304 €	304,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,261 €	652,50 €
	0,258 €	1 290,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD220N06L3 G SP005559927

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.