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IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT030N12N3GATM1
Price: 5.19 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPT030N12N3GATM1

N° de fab. :

IPT030N12N3GATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

IPT030N12N3GATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,19 €	5,19 €
	3,70 €	37,00 €
	2,68 €	268,00 €
	2,61 €	2 610,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	2,28 €	4 560,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	237 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	158 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPT030N12N3 G SP005348026

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.