Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH50NE2LM7UCGS
Price: 2.73 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IQEH50NE2LM7UCGS

N° de fab. :

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

En stock: 4 162

Stock:: 4 162 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,73 €	2,73 €
	1,78 €	17,80 €
	1,36 €	136,00 €
	1,14 €	570,00 €
	0,972 €	972,00 €
	0,929 €	2 322,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 6000)
	0,901 €	5 406,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	298 A
Rds On - Résistance drain-source:	500 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.4 ns
Transconductance directe - min.:	110 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	6000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IQEH50NE2LM7UCGSC SP006055383

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOMoss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.