Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 0.59 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

942-IRF540ZPBF

N° de fab. :

IRF540ZPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Fiche technique:

IRF540ZPBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IRF540ZPBF

En stock: 3 898

Stock:: 3 898

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 2 000

18/03/2026 attendu

17 000

02/04/2026 attendu
Délai usine :: 17

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,593 €	0,59 €
	0,507 €	5,07 €
	0,472 €	47,20 €
	0,427 €	213,50 €
	0,387 €	387,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	26.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	92 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IRF540ZPBF Fiche technique (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced

Les MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement de pointe pour atteindre une résistance par surface de silicium en fonctionnement extrêmement faible. Cet avantage, associé à une vitesse de commutation élevée, une structure endurcie et une température de jonction en fonctionnement de 175 °C qui font la renommée des MOSFET de puissance HEXFET, donne au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable à utiliser dans une large variété d'applications.
En savoir plus