IS66WVE2M16EBLL-70BLI

ISSI
870-66E2M16EBLL70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Fab. :

Description :
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Modèle de ECAO:
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En stock: 960

Stock:
960 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,09 € 4,09 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
3,96 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ISSI
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Marque: ISSI
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: IS66WVE2M16EBLL
Nombre de pièces de l'usine: 480
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
Poids de l''unité: 86 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.