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ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC073N12LM6ATMA

N° de fab. :

ISC073N12LM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

ISC073N12LM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	14.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	45 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	18 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC073N12LM6 SP005586060

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

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MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

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MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	1,46 €	14,60 €
	1,32 €	132,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,06 €	1 060,00 €
	1,02 €	2 550,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,989 €	4 945,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

ISC073N12LM6ATMA1

Fab. : Infineon Technologies

Description : MOSFET IFX FET >100-150V

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