ISC151N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC151N20NM6ATMA
ISC151N20NM6ATMA1

Fab. :

Description :
MOSFET IFX FET >150 - 400V

Fiche technique:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
74 A
15.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 7 ns
Transconductance directe - min.: 15 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 10 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 15 ns
Délai d'activation standard: 10 ns
Raccourcis pour l'article N°: ISC151N20NM6 SP005562947
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de RDS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N de niveau normal disponibles dans les boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16. Ces MOSFET présentent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), une charge de récupération inverse très faible (Q rr) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V fonctionnent à une température de 175 °C. Ces MOSFET sont sans halogène conformément à la norme IEC61249‑2‑21 et observent un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL 1) selon les normes J‑STD-020. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V sont idéaux pour les applications dans le domaine des énergies renouvelables, le contrôle de moteur, les amplificateurs audio et les applications industrielles.

MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.

Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
9 880
07/01/2027 attendu
Délai usine :
52
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
4,95 € 4,95 €
2,98 € 29,80 €
2,39 € 239,00 €
2,00 € 1 000,00 €
1,92 € 1 920,00 €
1,87 € 4 675,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
1,68 € 8 400,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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