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IXTF1N450

Name: IXYS IXTF1N450
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTF1N450
Price: 81.84 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTF1N450

N° de fab. :

IXTF1N450

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET

Fiche technique:

IXTF1N450 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	4.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	900 mA
Rds On - Résistance drain-source:	80 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	120 ns
Transconductance directe - min.:	0.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	43 ns
Série:	IXTF1N450
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	73 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	6,500 g

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Fiche technique

IXTF1N450 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.