KTDM4G4B826BGCEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGCEAT
KTDM4G4B826BGCEAT

Fab. :

Description :
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 198

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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,39 € 9,39 €
8,73 € 87,30 €
8,46 € 211,50 €
8,26 € 413,00 €
8,06 € 806,00 €
7,80 € 1 638,00 €
7,60 € 3 192,00 €
7,40 € 7 770,00 €
2 520 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marque: SMARTsemi
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 210
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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