MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modèle de ECAO:
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En stock: 501

Stock:
501 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,71 € 7,71 €
5,50 € 55,00 €
5,25 € 131,25 €
4,56 € 456,00 €
4,35 € 1 087,50 €
3,97 € 1 985,00 €
3,52 € 3 520,00 €
3,41 € 8 525,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marque: STMicroelectronics
Kit de développement: EVALMASTERGAN1
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 680 uA
Type de produit: Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source: 330 mOhms
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 1560
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Poids de l''unité: 120 mg
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN

Les pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN de STMicroelectronics mettent en œuvre une alimentation à haute densité de puissance avec l’intégration d’un pilote de grille et de deux transistors GaN à mode d’amélioration dans une configuration demi-pont. Le GaN de puissance intégré dispose d’un RDS (ON) de 150 mΩ et d’une tension de claquage drain-source 650V. La diode bootstrap intégrée peut rapidement fournir le côté haut du pilote de grille intégré.