STMicroelectronics Pré-pilote de MOSFET à 8 canaux L98GD8E

Le pré-pilote MOSFET à 8 canaux L98GD8E de STMicroelectronics est configurable pour le contrôle de charge côté bas, côté haut, crête et maintien, et en pont en H. Les ingénieurs l’ont conçu pour répondre aux exigences des véhicules particuliers 12 V et 48 V, ainsi que des véhicules utilitaires 24 V. Toutes les sorties peuvent être contrôlées par MLI. Six sorties permettent de piloter des charges liées à la sécurité. L'utilisateur peut dédier une sortie pour commander des charges liées à la sécurité qui nécessitent une broche d'activation dédiée (EN6).

Le L98GD8E de STMicroelectronics permet de contrôler deux ponts en H indépendants. Il peut également piloter jusqu'à deux charges nécessitant une stratégie de commande « crête et maintien » (peak and hold). Le pilote protège ses sorties contre les courts-circuits. Le dispositif protège le MOS externe en cas de surintensité. Chaque sortie fournit des informations de diagnostic complètes, notamment les courts-circuits à la batterie, les courts-circuits à la masse et les charges ouvertes. Les utilisateurs peuvent surveiller en permanence l'état de chaque sortie grâce à des registres SPI dédiés.

La vitesse de balayage de la tension des transistors externes 1 à 8 est contrôlée lors de l’activation et de la désactivation pour améliorer le comportement EMI. Une source de désactivation externe doublement redondante est disponible via les broches DIS et NDIS pour améliorer la sécurité. Le dispositif est configurable via SPI par un protocole 32 bits.

Caractéristiques

  • Qualification AEC-Q100
  • Conçus en conformité à ISO21780
  • Conformité des systèmes de batterie 48 V, 24 V, 12 V
  • E/S compatibles avec la logique 3,3 V et 5 V
  • Pré-pilote MOSFET configurable à 8 canaux :
    • Côté haut (MOS à canal N et à canal P)
    • Côté bas (MOS canal N)
    • Pont en H (jusqu'à deux ponts en H)
    • Crête et maintien (deux charges)
  • Tension d'alimentation de fonctionnement de la batterie de 3,8 V à 70 V
  • Tension d'alimentation de fonctionnement VDD : de 4,5 V à 5,5 V
  • Programmation des courants de charge et de décharge de grille pour améliorer le comportement EMI
  • Diagnostic individuel pour :
    • Court-circuit à la batterie
    • Charge ouverte, court-circuit à la masse
  • Implémentation hautement flexible de la détection de surintensité
    • Possibilité de surveiller la tension drain à source MOS externe
    • Possibilité de surveiller la tension sur une résistance shunt externe
    • 64 seuils de surintensité programmables sont indépendants pour chaque canal
    • Arrêt ultra-rapide de la sortie en cas de surintensité
  • Limitation du courant pour la configuration de pont en H
  • Protocole SPI 32 bits disponible pour la configuration et le diagnostic
    • Le dispositif mémorise les défaillances même si elles surviennent pendant une lecture de diagnostic.
    • Exploitation en guirlande
    • SDO protégé contre les surtensions
  • Caractéristiques de sécurité
    • Coupure rapide de la sortie redondante par deux broches externes
    • Autotest intégré (BIST) pour la logique
    • Auto-vérification du matériel (HWSC) pour le comparateur de surtension VDD5
    • Chien de garde de vérification de communication configurable (CC) disponible
    • Désactivation de la rétroaction par broche bidirectionnelle
    • Surveillance de sortie hautement redondante par registres SPI dédiés
  • CAN à 10 bits pour les mesures de température de la batterie et de la puce disponible par SPI
  • Surveillance VDD5 pour surtension/sous-tension
  • Surveillance de sous-tension pour VPS (batterie)

Applications

  • Applications automobiles 48 V
  • Contrôle de charge côté bas, côté haut, crête et maintien, et en pont en H
  • Conçu pour piloter des relais, des moteurs et toutes les charges résistives et inductives

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - STMicroelectronics Pré-pilote de MOSFET à 8 canaux L98GD8E
Publié le: 2026-05-26 | Mis à jour le: 2026-05-29