MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Fab. :

Description :
Commandes de grilles High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 115

Stock:
115 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 115 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,79 € 9,79 €
7,53 € 75,30 €
7,04 € 176,00 €
6,39 € 639,00 €
6,10 € 1 525,00 €
5,86 € 2 930,00 €
5,41 € 5 410,00 €
2 500 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marque: STMicroelectronics
Fonctionnalités: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Tension d'entrée - max: 15 V
Tension d'entrée - min.: 3.3 V
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source: 225 mOhms
Nombre de pièces de l'usine: 1560
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Poids de l''unité: 150 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN

Les pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN de STMicroelectronics mettent en œuvre une alimentation à haute densité de puissance avec l’intégration d’un pilote de grille et de deux transistors GaN à mode d’amélioration dans une configuration demi-pont. Le GaN de puissance intégré dispose d’un RDS (ON) de 150 mΩ et d’une tension de claquage drain-source 650V. La diode bootstrap intégrée peut rapidement fournir le côté haut du pilote de grille intégré.