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MJD31CHQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD31CHQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD31CHQ-13
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-MJD31CHQ-13

N° de fab. :

MJD31CHQ-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Fiche technique:

MJD31CHQ-13 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

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	0,697 €	0,70 €
	0,433 €	4,33 €
	0,281 €	28,10 €
	0,215 €	107,50 €
	0,194 €	194,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,169 €	422,50 €
	0,148 €	740,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	100 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	120 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.2 V
Pd - Dissipation d’énergie :	2.6 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu :	3 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	10 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

MJD31CHQ-13 Fiche technique (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont des transistors bipolaires qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949. Chaque composant dispose d'une tension de rupture collecteur-émetteur de 50 V ou 100 V (minimum). Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont fournis en boîtier TO-252 (DPAK) et sont idéaux pour les applications de commutation de puissance ou d'amplification.